Stand:
12.08.2004

Dr. Helmut Wißmann

Dr. Helmut Wißmann

 

Das Buch behandelt die erstmalige Realisierung von weitestgehend versetzungs- und spannungsfreien, leitenden HgSe:Fe Quantendrähten mittels selektiven MBE-Wachstums. Dazu wurden die Substratmaterialien GaAs und GaSb mit verschiedenen Ätzverfahren A-selektiv vorstrukturiert. So wurde eine Mesa-Struktur realisiert, die geeignet war, einen spannungsfreien Quantendraht im Dachfirst herzustellen.

Beim Wachstum des ZnTe auf strukturiertem GaAs kommt es durch die große Gitterfehlanpassung  zur Ausbildung von Körnern, die ein nachfolgendes geordnetes Wachstum eines  HgSe:Fe-Quantendrahtes verhindern.

Auf strukturiertem GaSb konnte erstmalig ein HgSe:Fe Draht durch selbstorganisiertes  Wachstum erzeugt werden, wie elektronisch durch die Magnetotransportmessungen  nahegelegt wird.

 

(Klappentext des Buches)

 

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